企业简介
是
苏州瑞红电子化学品有限公司的工商信息
- 320500400001239
- 91320500608288284C
- 存续（在营、开业、在册）
- 有限责任公司（自然人投资或控股的法人独资）
- 1993年10月09日
- 吴天舒
- 7000.000000
- 1993年10月09日 至 永久
- 苏州市吴中区市场监督管理局
- 2018年05月09日
- 苏州市吴中经济开发区民丰路501号
- 生产电子配套用的光刻胶、高纯配套化学试剂（按有效的《安全生产许可证》核定的范围生产），销售公司自产产品；从事危险化学品的批发业务（按《危险化学品经营许可证》核定的范围及方式经营）。生产电子配套用高纯配套化学试剂，销售公司自产产品。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
苏州瑞红电子化学品有限公司的域名
| 类型 | 名称 | 网址 |
| 网站 | 苏州瑞红电子化学品有限公司 | www.szruihong.com |
| 网站 | 苏州瑞红电子化学品有限公司 | http://www.szruihong.com/ |
苏州瑞红电子化学品有限公司的商标信息
| 序号 | 注册号 | 商标 | 商标名 | 申请时间 | 商品服务列表 | 内容 |
| 1 | 3726339 |  |
RH;瑞红 | 2003-09-22 | 工业用化学品；工业用胶；科学用化学制剂(非医用和兽医用)；工业用洗净剂；乙醇；异丙醇；液体橡胶；光刻胶；显影液(光刻用)；显影剂 | 查看详情 |
苏州瑞红电子化学品有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN105759573A | 一种用于去除钛镍银表面蚀刻残留光刻胶的剥离液组合物 | 2016.07.13 | 本发明涉及一种用于去除钛镍银表面蚀刻残留光刻胶的剥离液组合物，其主要用途是在半导体器件制造过程中用于 |
| 2 | CN105607418A | 一种高耐热光刻胶组合物及其使用工艺 | 2016.05.25 | 本发明公开了一种含有临羟基苯甲醛线性酚醛树脂作为成膜树脂的光刻胶组合物，以重量百分数计，由如下组分组 |
| 3 | CN105589303A | 一种用于厚膜光刻胶的高容量显影液组合物 | 2016.05.18 | 本发明提供一种厚膜光刻胶显影液组合物，该组合物含有组分及重量百分含量为：KOH或者Na<sub>2< |
| 4 | CN105585847A | 一种低热膨胀系数高分辨率正性光敏聚酰亚胺组合物 | 2016.05.18 | 本发明公开了一种低热膨胀系数高分辨率的正性光敏聚酰亚胺(PSPI)组合物，属于集成电路封装材料领域。 |
| 5 | CN105467764A | 一种提升环化异戊二烯体系负胶储存稳定性的工艺 | 2016.04.06 | 本发明提供了一种提升环化异戊二烯体系负胶储存稳定性的工艺，通过提前氧化异戊二烯中未环化的双键来使得保 |
| 6 | CN104965389A | 一种用于柔性基板的FPD/TP正性光刻胶 | 2015.10.07 | 本发明提供了一种适合柔性FPD/TP的正性光刻胶，该光刻胶的组成及含量(质量百分比)为重氮萘醌磺酸酯 |
| 7 | CN104656373A | 一种用于GPRC工艺中不含光敏剂的光刻胶组合物 | 2015.05.27 | 本发明提供了一种用于GPRC工艺中不含光敏剂的光刻胶组合物的用途，其中所述光刻胶组合物用于GPRC工 |
| 8 | CN104656375A | 一种以三聚氰胺和腰果酚改性的酚醛树脂为基体的高感光性光刻胶组合物 | 2015.05.27 | 本发明公开了一种以三聚氰胺和腰果酚改性的酚醛树脂为基体的高感光性光刻胶组合物的制备方法，属于高分子材 |
| 9 | CN104617302A | 一种高功率锂离子电池负极粘结剂组合物及其制造方法 | 2015.05.13 | 本发明涉及一种高功率锂离子电池负极粘结剂及其制造方法。其组成为：SBR(丁苯橡胶)10.0％～25. |
| 10 | CN104614939A | 一种用于GPP工艺中混合玻璃粉用负性光刻胶组合物 | 2015.05.13 | 本发明提供了一种用于GPP工艺中混合玻璃粉用负性光刻胶组合物，该剥离液的组成及含量(质量百分比)为1 |
| 11 | CN104614941A | 一种高耐热化学增幅型光刻胶树脂及其光刻胶组合物 | 2015.05.13 | 本发明涉及一种高耐热化学增幅型负胶的成膜树脂及使用该树脂的光刻胶组合物，其包含一种马来酰亚胺改性的环 |
| 12 | CN104614942A | 一种紫外正性光刻胶及其高耐热成膜树脂 | 2015.05.13 | 本发明公开了一种紫外正性光刻胶组合物，含有1～20份的重氮类感光剂、5～50份的成膜树脂、0～1份的 |
| 13 | CN104614954A | 一种去除光刻胶的水系剥离液组合物 | 2015.05.13 | 本发明涉及一种光刻胶剥离液组合物，其主要用途是在半导体器件制造过程中用于去除未曝光的光刻胶。所述光刻 |
| 14 | CN102838994B | 用于制作单晶硅太阳能电池选择性发射极的蚀刻胶组合物 | 2014.04.23 | 本发明提供了一种用于制作单晶硅太阳能电池选择性发射极的蚀刻胶组合物，组合物组成及含量（质量百分数）为 |
| 15 | CN102540776B | 一种去除半导体工艺中残留光刻胶的剥离液 | 2013.07.03 | 本发明提供了一种去除半导体工艺中残留光刻胶的剥离液，该剥离液的组成及含量(质量百分比)为20～70％ |
| 16 | CN102838994A | 用于制作单晶硅太阳能电池选择性发射极的蚀刻胶组合物 | 2012.12.26 | 本发明提供了一种用于制作单晶硅太阳能电池选择性发射极的蚀刻胶组合物，组合物组成及含量（质量百分数）为 |
| 17 | CN102540776A | 一种去除半导体工艺中残留光刻胶的剥离液 | 2012.07.04 | 本发明提供了一种去除半导体工艺中残留光刻胶的剥离液，该剥离液的组成及含量(质量百分比)为20～70％ |
| 18 | CN102466986A | 一种防腐蚀碱性显影液组合物 | 2012.05.23 | 本发明提供一种防腐蚀碱性显影液组合物，该组合物含有组分及重量百分含量为，有机碱水溶液0.1～10％， |
| 19 | CN100468194C | 193nm远紫外光刻胶及其制备方法 | 2009.03.11 | 本发明涉及制造超大规模集成电路芯片所使用的以193nm远紫外单束光为曝光光源的光刻胶及其制备方法。它 |
| 20 | CN100460999C | 193nm远紫外光刻胶及其制备方法 | 2009.02.11 | 本发明涉及制造超大规模集成电路芯片所使用的以193nm远紫外单束光为曝光光源的光刻胶及其制备方法。它 |
| 21 | CN1869814A | 193nm远紫外光刻胶及其制备方法 | 2006.11.29 | 本发明涉及制造超大规模集成电路芯片所使用的以193nm远紫外单束光为曝光光源的光刻胶及其制备方法。它 |
| 22 | CN1869815A | 193nm远紫外光刻胶及其制备方法 | 2006.11.29 | 本发明涉及制造超大规模集成电路芯片所使用的以193nm远紫外单束光为曝光光源的光刻胶及其制备方法。它 |
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